（3）ツェナダイオード（定電圧ダイオード）

半導体ダイオードのPN接合に逆圧を加え、その電圧を増加させていくと、ある一定の電圧から図7・2に示すように急に逆電流が増加しはじめ、いわゆる降伏現象を呈する。このPN接合部の作り方によって降伏現象の起こった処で電流の広い範囲にわたって電圧はほぼ一定の値に保たれる。このような特性のダイオードをツェナダイオードと称し、一般にシリコンを材料としたものが用いられている。降伏電圧はシリコン中のPN接合付近の不純物の分布によって決り、5〜40Vの範囲のものがよく作られている。.ツェナダイオードは降伏電圧現象を利用して、供給電圧の安定化や基導電圧を作るのに用いることができる。

図7・2ツェナダイオードの電圧、電流特性

（4）トランジスタ

トランジスタは図7・3に示すように、PN接合のダイオードに、もう一つの半事体を追加して、三つの電極を付けた原理構造のもので、P形、N形半事体の接合配列の仕方によって、PNP形とNPN形の2種類がある。トランジスタはダイオードと同じく、ゲルマニウム又はシリコンを素材として作られるが、シリコントランジスタの方が耐熱特性が格段にすぐれているので、

図7・3PNP形模型図

前ページ　　　目次へ　　　次ページ